Crystal Oscillator制造流程及相關事項
來源：http://www.ike-digital.com 作者：康華爾電子 2019年08月17
Crystal Oscillator的應用非常廣泛,目前的通信/電信,無線網(wǎng)絡,工業(yè)儀器儀表,航空航天,井下探測開采,導航雷達,軍事設備,AI人工智能,5G模塊等高端領域,都需要用到各種不同的石英晶體振蕩器.因為振蕩器比普通的晶體性能高,還具有低電壓,低功耗,低電平等電氣特性,其內(nèi)部結果相對晶體,也稍微復雜一些,因此其制造流程的步驟,比石英晶體更多,共有30多道.常用的Crystal Oscillator封裝尺寸也比較小,有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm,近年來有許多廠家成功生產(chǎn)出1.6*1.2mm超小體積的振蕩器料號.
該石英振蕩器專為自動插入而設計.但是,您需要使用插入機器進行試驗,以確保正確操作并且不會損壞組件.請注意可能損壞組件并導致焊接過程的板翹曲.避免使用超聲波焊接進行安裝和加工,因為這種方法可能會在晶體產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生過度的振動,并且會導致特性劣化并且不會振蕩.
清潔:不得使用腐蝕鎳的清洗液；它可能會導致晶振Crystal表面,顏色,標記等問題；可以進行超聲波清潔,但是,您需要檢查您的電路板.因為我們只檢查過單個單元.
處理:OSC晶振系列設計用于承受跌落和振動,但晶體空白可能會被破壞.因此,如果給出過大的力,請在使用前檢查特性.內(nèi)部有C-MOS電路.請注意與其他C-MOS一樣的靜電.
By-pass電容器:它沒有集成的旁路電容器.我們建議您在Vdd和GND之間使用電容器(如陶瓷芯片電容器)0.01μF.
保存:請使OSC振蕩器遠離高溫和高濕度,否則可能導致焊接.沒有直接的陽光,也沒有露水.
以下是Crystal Oscillator制造流程步驟:
01.LID進料檢查-02.LID洗凈-03.IC進料檢查-04.BASW進料檢查-05.IC搭載-06.打金線-07.BLANK進料檢查-08.化學蝕刻-09.有源晶振頻率選擇-10.晶片排盤-11.洗干凈+微蝕刻-12.底板電鍍-13.粘接-14.粘合劑固化-15.粘接檢查-16.部分調整/離子部分-17.中間檢查-18.高真空烘烤-19.熔接-20.回流1-21.老化-22.印字+外觀檢查-23.氣密檢查1-24.氣密檢查2(氦氣加壓)-25.氣密檢查2(HE)-26.檢查DLD-27.最終檢查+溫度特性檢查-28.外觀檢查-29.卷帶包裝-30.出貨檢查-31.出貨打包-32.最終出貨.
環(huán)境績效測試方法
| 項目 | 石英晶振環(huán)境測試方法 | 規(guī)格代碼 | |
| 1 | 溫度 |
溫度60℃+/-2℃,相對濕度90~95％,持續(xù)時間240小時. 首先回到室溫,然后在1~2小時內(nèi)檢查組件. 參見:JISC60068-2-3 |
A |
| 2 | 低溫儲存 |
-40deg.C+/-2deg.C,持續(xù)時間240小時. 首先回到室溫,然后在1~2小時內(nèi)檢查組件. 參見:JISC60068-2-1 |
A |
| 3 | 高溫存儲 |
+85deg.C+/-2deg.C,持續(xù)時間240小時. 首先回到室溫,然后在1~2小時內(nèi)檢查組件. 參見:JISC60068-2-2 |
A |
| 4 | 溫度循環(huán) |
-30deg.C+/-2deg.C(30min)«+80deg.C+/-2deg.C(30min)25 周期.溫度.增加或減少時間需要在3分鐘之內(nèi). 首先回到室溫,然后在1~2小時內(nèi)檢查組件. 參見:JISC0025 |
A |
| 5 | 高溫操作 |
+85deg.C+/-2deg.C,+3.3VVdd持續(xù)時間240小時. 首先回到室溫,然后在1~2小時內(nèi)檢查組件. 參見:JISC60068-2-2 |
A |
清潔:不得使用腐蝕鎳的清洗液；它可能會導致晶振Crystal表面,顏色,標記等問題；可以進行超聲波清潔,但是,您需要檢查您的電路板.因為我們只檢查過單個單元.
處理:OSC晶振系列設計用于承受跌落和振動,但晶體空白可能會被破壞.因此,如果給出過大的力,請在使用前檢查特性.內(nèi)部有C-MOS電路.請注意與其他C-MOS一樣的靜電.
By-pass電容器:它沒有集成的旁路電容器.我們建議您在Vdd和GND之間使用電容器(如陶瓷芯片電容器)0.01μF.
保存:請使OSC振蕩器遠離高溫和高濕度,否則可能導致焊接.沒有直接的陽光,也沒有露水.
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